对当前市面上满足高压应用的SiC功率器件来说，，，栅氧厚度普遍大于5nm，，因此失效时不存在所谓的软击穿现象，，，为硬击穿。。。。

      其中，，
，硬击穿的失效机理可分为内在失效(intrinsic failure)和外在失效(extrinsic failure)。。
。

      内在失效是由于固有缺陷导致的，
，，，即不存在任何外在缺陷，，栅氧质量水平取决于材料本身（SiC/SiO2界面）；外在失效是由非固有缺陷造成的，
，
，可理解为在SiC/SiO2界面处或SiO2内部
，，，由于微观瑕疵或缺陷引起的失效。。
。

      关于器件早期的失效原因是内在失效还是外在失效，，一直饱受争论。
。。

      关于内在失效的机理
，，存在部分猜想：

•  1)  早期失效是栅氧的内在失效造成的，，
  ，是由于SiC/SiO2界面存在较大的Fowler-Nordheim隧穿电流
  。。。

      对于相同电场，，SiC MOSFET中的Fowler-Nordheim隧穿电流要比Si MOSFET高得多，
，，因为SiC和SiO2之间的导带偏移小于Si和SiO2之间的导带偏移。。。

      如图所示，，，在Si-SiO2界面中，
，，导带偏移为3.2eV，，而4H-SiC的导带偏移仅为2.7eV。。
。二者在偏移量上0.5eV的差异使得相同电场下，，4H-SiC/SiO2界面Fowler-Nordheim隧穿电流比Si/SiO2界面相应的Fowler-Nordheim隧穿电流大1.5倍
。。

      然而，，
，对于栅氧厚度为几十纳米范围内的器件，，，，可以忽略这一点。。对SiC MOSFET来说，，，Eox<3-5MV/cm时栅极隧穿电流可以忽略不计。。。因此这一猜想是不成立的
。
。。。